IRFR5410TRRPBF, MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005402080
- Артикул
- IRFR5410TRRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- HEXFET Power MOSFET
- Вес, г
- 4
- Длина
- 6.5 mm
- Высота
- 2.3 mm
Цена по запросу
(от 202 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
Технические параметры
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| Вес, г | 4 |
| Длина | 6.5 mm |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 46 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 38.7 nC |
| Время нарастания | 58 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 66 W |
| Другие названия товара № | SP001557118 |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 205 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 66 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 26мОм |