IRFR5410TRPBF, Трназистор P-MOSFET 100В 13А 66Вт 0.205Ом [DPAK.]
![IRFR5410TRPBF, Трназистор P-MOSFET 100В 13А 66Вт 0.205Ом [DPAK.]](https://static.epl-electro.ru/lib/921/DOC002921000.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001613300
- Артикул
- IRFR5410TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.4
- Структура
- MOSFET
- Крутизна характеристики, S
- 3.2
- Пороговое напряжение на затворе
- -4
Цена по запросу
(от 53,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя P-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Структура | MOSFET |
| Крутизна характеристики, S | 3.2 |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 66 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.205Ом |