Моя заявка (0)

IRFR5410TRPBF, Транзистор P-МОП, полевой, 100В 13A 66Вт 0,205Ом T

IRFR5410TRPBF, Транзистор P-МОП, полевой, 100В 13A 66Вт 0,205Ом T

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049176108
Артикул
IRFR5410TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
6.22mm
Series
HEXFET
Тип
MOSFET
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 83 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя P-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.

Технические параметры

Width6.22mm
SeriesHEXFET
ТипMOSFET
Pin Count3
Вес, г0.41
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
Мощностьрассеиваемая(Pd)-66 Вт
ОписаниеMOSFET 1 P-CH-100V HEXFET 205mOhms 70nC
УпаковкаREEL, 2000 шт.
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityP Channel
Емкость, пФ760
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-4В
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation66 W
Typical Gate Charge @ Vgs58 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage4V @ 250uA
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаповерхностный(SMT)
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance205 mΩ
Тип проводимостиP
Maximum Continuous Drain Current13 A
Rds On - Drain-Source Resistance205mО© @ 7.8A,10V
Заряд затвора, нКл58
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)66W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C13A
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А-13
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±20 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во60*50*50/2000
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм205

Техническая документация