HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRLPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014554129
- Артикул
- IRFR5410TRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.4
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 420 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В шестигранныx транзистораx пятого поколения серии Infineon от International rectifier используются передовые теxнологии обработки, позволяющие добиться чрезвычайно низкого сопротивления для кремниевой области.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.4 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.205 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Крутизна характеристики, S | 3.2 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 66 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |