Моя заявка (0)
IRFR5410 PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8036724764
Бренд
Нет торговой марки
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Automotive
No
Цена по запросу
(от 70 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, P-CH, -100V, -13A, TO-252AA; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -13A; Напряжение источника стока Vds: -100 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,205 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: -10 В; Пороговое значение Напряжение Vgs: -4 В; Рассеиваемая мощность Pd: 66 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-252AA; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: Серия HEXFET; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (27-Июнь-2018)

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г0.4
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
КорпусDPAK
Supplier PackageDPAK
Process TechnologyHEXFET
СтруктураP-канал
Standard Package NameTO-252
Особенности-
Температура, С-55…+175
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature - (??C)-55~150
Maximum Power Dissipation - (mW)66000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)58(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)58(Max)@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??20
Maximum Drain Source Voltage - (V)100
Maximum Continuous Drain Current - (A)13
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)760@25V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)205@10V
Крутизна характеристики, S3.2
Крутизна характеристики S,А/В3.2
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В-100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт66
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм205
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В4

Техническая документация