IRFR5305TRPBF, транзистор DPAK/TO-252AA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8058150401
- Артикул
- IRFR5305TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.22mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 59,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя P-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Время | задержки включения/выключения-14/39 нс |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-110 Вт |
| Описание | 55V, 31A P-Channel MOSFET |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |
| Typical Power Gain | 0 |
| Transistor Material | Si |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2 В |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 65 mΩ |
| Тип проводимости | P |
| кол-во в упаковке | 2500 |
| Maximum Continuous Drain Current | 31 A |
| Заряд затвора, нКл | 63 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -31 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 65 |