Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025233949
Артикул
IRFR5305TRPBF
Бренд
HXY MOSFET
Вес, г
0.45
Корпус
to252
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
110W
Цена по запросу
(от 44,42 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.45
Корпусto252
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)110W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)63nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.2nF@25V
Continuous Drain Current (Id)31A
Крутизна характеристики, S8
Пороговое напряжение на затворе-2…-4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)65mΩ@10V, 16A