IRFR5305PBF Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066032235
- Артикул
- IRFR5305PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- Power MOSFET
- Тип
- МОП-Транзистор, кремниевый, 1 P-канал
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- P
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 23 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, P CH, 55 В, 31 А, DPAK; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -31 А; Напряжение источника стока Vds: -55 В; Сопротивление Rds(включено): 0,065 Ом; Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs: -10 В; Пороговое напряжение Vgs:-4 В; Сила
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Тип | МОП-Транзистор, кремниевый, 1 P-канал |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | P |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Вес, г | 0.4 |
| Время | задержки включения/выключения-14/39 нс |
| Заряд | затвора(Qg)-63 нКл |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | DPAK |
| Rad Hardened | No |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-110 Вт |
| Описание | 55V, 31A P-Channel MOSFET |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |
| Power Dissipation | 110(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Drain-Source On-Volt | 55(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2 В |
| Continuous Drain Current | 31(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-65 мОм |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Максимальный ток | Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-31 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимально допустимое напряжение | сток-исток(Vds max)-55 В; затвор-исток(Vgs)±20 В |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |