IRFR4104TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 40В 42A 140Вт 0,0055Ом
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017539005
- Артикул
- IRFR4104TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 40В 42A 140Вт 0,0055Ом
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 36 ns |
| Rise Time: | 69 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 89 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 42A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 140 W |
| Power Dissipation (Max) | 140W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252AA(DPAK) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 119 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 58 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.5 mO |
| Maximum Continuous Drain Current | 119 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.5 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2950 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Крутизна характеристики, S | 58 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 0055Ом |