Моя заявка (0)

HEXFET N-Channel MOSFET, 42 A, 40 V, 3-Pin DPAK IRFR4104TRLPBF

HEXFET N-Channel MOSFET, 42 A, 40 V, 3-Pin DPAK IRFR4104TRLPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014553549
Артикул
IRFR4104TRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
HEXFET
Pin Count
3
Fall Time:
36 ns
Цена по запросу
(от 375,11 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

В мощном МОП-транзисторе Infineon HEXFET используются новейшие теxнологии обработки для достижения чрезвычайно низкого вxодного сопротивления на площади кремния.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesHEXFET
Pin Count3
Fall Time:36 ns
Rise Time:69 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Part # Aliases:IRFR4104TRLPBF SP001555120
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:89 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:140 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:37 ns
Id - Continuous Drain Current:119 A
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:58 S
Maximum Drain Source Resistance0.0055 O
Maximum Continuous Drain Current42 A
Rds On - Drain-Source Resistance:5.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация