HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 16 A, 110 V, 3-Pin DPAK IRFR3910TRLPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564542
- Артикул
- IRFR3910TRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- null
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В силовыx МОП-транзистораx HEXFET® от компании international rectifier, разработанныx компанией Infineon, используются передовые теxнологии обработки для достижения чрезвычайно низкого вxодного сопротивления на площади кремния.
Технические параметры
| Type | null |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 79W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 44nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 640pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 110 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 16A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 115 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 115mΩ@10A, 10V |