MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067810801
- Артикул
- IRFR3910PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFETВ®
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 83 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-КАНАЛЬНЫЙ MOSFET, 100 В, 16 А, DPAK, Полярность транзистора:N-канальный, Постоянный ток стока Id:16 А, Напряжение источника стока Vds:100 В, Сопротивление Rds(включено): 0,115 Ом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs:10 В, Пороговое напряжение Vgs:4 В, Ассортимент продукции:-, Соответствует требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| Series | HEXFETВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.33 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 10A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 79W(Tc) |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 16A(Tc) |