Моя заявка (0)

IRFR3806TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 43A 71Вт 0,0158Ом TO252AA

IRFR3806TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 43A 71Вт 0,0158Ом TO252AA

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017539003
Артикул
IRFR3806TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
HEXFET
Вес, г
0.42
Channel Type
N
Package Type
D-Pak(TO-252AA)
Цена по запросу
(от 86,25 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия Infineon IRFR представляет собой одноканальный n-канальный МОП-транзистор мощностью 60 В в корпусе DPAK. Семейство мощныx моп-транзисторов strong IRFET оптимизировано для работы с низким RDS (при включении) и высоким током.

Технические параметры

SeriesHEXFET
Вес, г0.42
Channel TypeN
Package TypeD-Pak(TO-252AA)
Mounting TypeThrough Hole
Transistor PolarityN Channel
Технология:Si
Вид монтажа:SMD/SMT
Vgs - Gate-Source Voltage4V 50uA
Maximum Drain Source Voltage60 V
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 N-Channel
Qg - заряд затвора:22 nC
Maximum Continuous Drain Current43 A
Power Dissipation-Max (Ta=25°C)71W
Rds On - Drain-Source Resistance15.8mΩ 25A, 10V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60V
Количество каналов:1 Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C43A
Рабочая температура:-55 C+175 C
Полярность транзистора:N-Channel
Id - непрерывный ток утечки:43 A
Vgs - напряжение затвор-исток:-20 V, +20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:12.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:60 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :1.8 V

Техническая документация