Транзистор, IRFR3710ZTRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057780138
- Артикул
- IRFR3710ZTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Вид
- N-MOSFET
- Тип
- полевой
- Fall Time:
- 42 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFR3710ZTRPBF от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD технологии. С током стока в 56 А и напряжением сток-исток в 100 В, данный транзистор способен обеспечить мощность до 140 Вт, что делает его идеальным выбором для различных силовых применений. Корпус DPAK обеспечивает надежную защиту и удобство в интеграции на печатные платы. Используйте IRFR3710ZTRPBF для повышения эффективности и надежности ваших электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 56 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 140 Корпус DPAK
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Fall Time: | 42 ns |
| Rise Time: | 43 ns |
| Вес, г | 0.55 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | D-PAK |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Монтаж | SMD |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | PCB Monut |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IRFR3710ZTRPBF SP001560638 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 140Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 100 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Ток стока, А | 56 |
| Мощность, Вт | 140 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 140 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 56 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 39 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.015Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 42 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Непрерывный Ток Стока | 42А |
| Рассеиваемая Мощность | 140Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252AA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/1000 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.015Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |