HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 86 A, 30 V, 3-Pin DPAK IRFR3709ZTRLPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014562199
- Артикул
- IRFR3709ZTRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 123,51 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS разработаны с целью повышения эффективности, удельной мощности и экономичности.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 79Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 20V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0065 O |
| Drain Source On State Resistance | 0.0052Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 86 A |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 86А |
| Рассеиваемая Мощность | 79Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0052Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 86 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |