HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 77 A, 40 V, 3-Pin DPAK IRFR3504ZTRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016823583
- Артикул
- IRFR3504ZTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 320 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство мощныx МОП-транзисторов Infineon Strong IRFET оптимизировано для работы с низким RDS (on) и высоким током.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 90W |
| Особенности | полевая сборка |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.51nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 42A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 20V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.009 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 77 A |
| Крутизна характеристики, S | 32 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 77 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9mΩ@42A, 10V |