Моя заявка (0)
IRFR3411TRPBF, MOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005402063
Артикул
IRFR3411TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
7.49mm
Series
HEXFET
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 115,22 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IRFR3411TRPBF от известного производителя INFINEON – это высококачественный компонент для современной электроники. Модель выполнена в удобном для монтажа SMD корпусе типа DPAK, что облегчает его интеграцию в печатные платы. Транзистор характеризуется значительным током стока в 56 А и напряжением сток-исток до 100 В, что позволяет использовать его в сильноточных цепях. Мощность устройства достигает 130 Вт. Тип транзистора – N-MOSFET, что делает его идеальным для широкого спектра применений от импульсных источников питания до коммутации нагрузок. Надежность и долговечность – отличительные черты продукции INFINEON. Приобретая IRFR3411TRPBF, вы получаете компонент, проверенный временем и выбираемый профессионалами. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 56 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 130 Корпус DPAK

Технические параметры

Width7.49mm
SeriesHEXFET
Pin Count3
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Вес, кг3.12
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage1.2V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation130 W
Typical Gate Charge @ Vgs48 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance44 mΩ
Maximum Continuous Drain Current32 A
Крутизна характеристики, S21
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А32
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт130
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)44мОм

Техническая документация