IRFR3410TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 31 110Вт 0,039Ом T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017539002
- Артикул
- IRFR3410TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Тип
- HEXFET Power MOSFET
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFR3410TRPBF от INFINEON – высококачественный компонент для современных электронных устройств. С монтажом типа SMD и корпусом DPAK, этот N-MOSFET транзистор обеспечивает стабильную работу при токе стока до 31 А и напряжении сток-исток до 100 В. Его мощность достигает 110 Вт, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Приобретая IRFR3410TRPBF, вы получаете надежный компонент, обладающий высокой эффективностью и длительным сроком службы. Используйте IRFR3410TRPBF для ваших проектов, где требуется надежное и долговременное управление электронными процессами. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 31 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 110 Корпус DPAK
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.43 |
| Длина | 6.5 mm |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Process Technology | HEXFET |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 13 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Rise Time (ns) | 27 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Qg - заряд затвора | 37 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 37 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 37 10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
| Время нарастания | 27 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 39mО© @ 18A,10V |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 3W |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 31 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1690 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 39 10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 31A |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 31 A |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 39 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 33 S |