IRFR320PBF Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066032223
- Артикул
- IRFR320PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Полевой транзистор IRFR320PBF от известного производителя VISHAY представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Устройство выделяется током стока в 3,1 А и напряжением сток-исток, достигающим 400 В, что обеспечивает его универсальность в использовании. Мощность транзистора составляет 42 Вт, а благодаря корпусу TO252AA он обеспечивает надежность и долговечность в работе. Этот транзистор отлично подойдет для широкого спектра электронных применений, требующих эффективного управления мощностью. Приобретая IRFR320PBF, вы получаете надежный компонент, способный справиться с высокими нагрузками. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3.1 Напряжение сток-исток, В 400 Мощность, Вт 42 Корпус TO252AA
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | IRFR/U |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 13 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1.9A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Время нарастания | 14 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 42 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.1 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.7 S |