Моя заявка (0)

IRFR310PBF,Power MOSFET, N Channel, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IRFR310PBF,Power MOSFET, N Channel, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8202103446
Артикул
IRFR310PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
HTS
8541.10.00.80
Tab
Tab
Type
Power MOSFET
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 165 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 1,7А, Idm: 6А, 25Вт, DPAK

Технические параметры

HTS8541.10.00.80
TabTab
TypePower MOSFET
EU RoHSCompliant with Exemption
MilitaryNo
MountingSurface Mount
PolarityN
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Power GainNot Required dB
Вес, г0.4
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Noise FigureNot Required dB
Package TypeDPAK
Rad HardenedNo
КорпусTO-252
ConfigurationSingle
Package Width6.22(Max)
Package Height2.39(Max)
Package Length6.73(Max)
Frequency (Max)Not Required MHz
Drain EfficiencyNot Required%
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)25
Power Dissipation2.5(W)
Number of Elements1
Output Power (Max)Not Required W
СтруктураN-Channel
Drain Current (Max)1.7 A
Drain-Source On-Res3.6(ohm)
Drain-Source On-Volt400(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Standard Package NameTO-252
Typical Fall Time (ns)11
Typical Rise Time (ns)9.9
Особенностивысоковольтный
Continuous Drain Current1.7(A)
Gate-Source Voltage (Max)±20(V)
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2500
Typical Gate Charge @ 10V (nC)12(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)12(Max)@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)7.9
Maximum Drain Source Voltage (V)400
Typical Turn-Off Delay Time (ns)21
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)1.7
Operating Temperature ClassificationMilitary
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)170@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)3600@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Крутизна характеристики, S0.97
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.6 Ом

Техническая документация