IRFR2905ZTRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 55В, 59А, 110Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070127493
- Артикул
- IRFR2905ZTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 29 nC
- V(DS)
- 55 V
- P(tot)
- 110 W
- Series
- HEXFET
Цена по запросу
(от 98,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms 29nC
Технические параметры
| Q(g) | 29 nC |
| V(DS) | 55 V |
| P(tot) | 110 W |
| Series | HEXFET |
| Package | DPAK |
| R(thJC) | 1.38 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | HEXFET |
| Вес, г | 0.43 |
| Длина | 6.5 mm |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 11.1 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 42 A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 35 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 14.5 mO |
| Время нарастания | 66 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 59 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Другие названия товара № | SP001552100 |
| Id - непрерывный ток утечки | 59 A |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 20 S |