HEXFET Dual Silicon N-Channel MOSFET, 42 A, 75 V, 3-Pin DPAK IRFR2607ZTRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034105940
- Артикул
- IRFR2607ZTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.5 mm
- Высота
- 2.3 mm
- Ширина
- 6.22 mm
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор TRENCH 40<-<100V
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.5 mm |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | полевая сборка |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 42 A |
| Крутизна характеристики, S | 36 |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 22 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |