Моя заявка (0)

IRFR24N15DTRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 150В, 24А, 140Вт, DPAK

IRFR24N15DTRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 150В, 24А, 140Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062300304
Артикул
IRFR24N15DTRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
30 nC
V(DS)
150 V
P(tot)
140 W
Series
HEXFET
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS разработаны с целью повышения эффективности, удельной мощности и экономичности.

Технические параметры

Q(g)30 nC
V(DS)150 V
P(tot)140 W
SeriesHEXFET
PackageDPAK
R(thJC)1.1 K/W
FET TypeN-Channel
MountingSMD
PackagingREEL
Pin Count3
Vgs (Max)±30V
AutomotiveNO
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.43
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V95 mOhm
Fast bodydiodeNO
Package / CaseTO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63
I(D)at Tc=25°C24 A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max)140W(Tc)
Supplier Device PackageTO-252AA(DPAK)
Number of Elements per Chip2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage150 V
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Maximum Gate Threshold Voltage30V
Maximum Drain Source Resistance0.095 O
Maximum Continuous Drain Current24 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds890 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A(Tc)

Техническая документация