IRFR2407TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 75В 42A 110Вт 0,026Ом TO252AA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024644366
- Артикул
- IRFR2407TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- HEXFET Power MOSFET
- Brand:
- Infineon/IR
- Series
- HEXFET
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 75В 42A 110Вт 0,026Ом TO252AA
Технические параметры
| Type: | HEXFET Power MOSFET |
| Brand: | Infineon/IR |
| Series | HEXFET |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 66 ns |
| Rise Time: | 90 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.66 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252-3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | DPAK |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | PCB Monut |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IRFR2407TRPBF SP001556854 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 74 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 25A, 10V |
| Особенности | Advanced SGT Technology |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252AA(DPAK) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Температура, С | -55…+175 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 42 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 42 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 27 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 26 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 026Ом |