Моя заявка (0)

IRFR2405TRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

IRFR2405TRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8047967615
Артикул
IRFR2405TRPBF
Бренд
International Rectifier
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Material
Si
Цена по запросу
(от 184 ₽)
Минимальный заказ: 419 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-контактный(2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MaterialSi
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width6.22(Max)
Package Length6.73(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Process TechnologyHEXFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)78
Typical Rise Time (ns)130
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)110000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)70
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)70@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)15
Maximum Drain-Source Voltage (V)55
Typical Turn-Off Delay Time (ns)55
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)56
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2430@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)16@10V
Крутизна характеристики, S30
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А56
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация