IRFR2405TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 55В 56A 110Вт 0,016Ом T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017539432
- Артикул
- IRFR2405TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type:
- HEXFET Power MOSFET
- Brand:
- Infineon Technologies
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFR2405TRPBF производства INFINEON – это высококачественный компонент для современной электроники, предназначенный для использования в SMD монтаже. Этот N-MOSFET транзистор обладает мощностью 110 Вт и способен управлять током стока до 56 А при напряжении сток-исток 55 В. Компактный корпус DPAK гарантирует удобство при монтаже на плату и экономию пространства. Идеален для применения в силовых цепях, блоках питания и управления двигателями. Код товара IRFR2405TRPBF станет надежным и эффективным решением для ваших проектов. Используя код IRFR2405TRPBF, вы легко найдете всю дополнительную техническую информацию о продукте и облегчите процесс покупки. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 56 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 110 Корпус DPAK
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type: | HEXFET Power MOSFET |
| Brand: | Infineon Technologies |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 78 ns |
| Rise Time: | 130 ns |
| Вес, г | 0.49 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 70 nC |
| Process Technology | HEXFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Typical Fall Time (ns) | 78 |
| Typical Rise Time (ns) | 130 |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 56 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 110000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 70 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 70 10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 55 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 56 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2430 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 16 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |