IRFR224PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 2,4А, 42Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003173880
- Артикул
- IRFR224PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Series
- -
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 104,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 2,4А, 42Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Series | - |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | No |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.44 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | IRFR |
| FET Feature | - |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Высота | 2.38 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 2.3A, 10V |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Rise Time (ns) | 13 |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 14(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 14(Max)10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 250 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 25V |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 260 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1100 10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.8A(Tc) |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |