IRFR220PBF Vishay
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072239302
- Артикул
- IRFR220PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.10.00.80
- Tab
- Tab
- RDS-on
- 800@10V mOhm
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 105 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзисторы и сборки MOSFET TO252
Технические параметры
| HTS | 8541.10.00.80 |
| Tab | Tab |
| RDS-on | 800@10V mOhm |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Серия | IRFR/U |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 6.22(Max) |
| Package Height | 2.39(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Typical Fall Time | 13 ns |
| Typical Rise Time | 22 ns |
| Max Processing Temp | 260 |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 13 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Rise Time (ns) | 22 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.2 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 14(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 14(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7.2 |
| Время нарастания | 22 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.8 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 260@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 800@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 42 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.8 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.7 S |