IRFR220NTRPBF, DPAK/TO-252AA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029063404
- Артикул
- IRFR220NTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.65
- Channel Type
- N
- Package Type
- DPAK
- Корпус
- DPAK/TO-252AA
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Полевой транзистор IRFR220NTRPBF от известного производителя Infineon представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для использования в современных электронных устройствах. Устройство выполнено в компактном корпусе DPAK, подходящем для поверхностного монтажа (SMD), что делает его идеальным выбором для плотно упакованных печатных плат. Транзистор характеризуется максимальным током стока 24 А и напряжением сток-исток до 200 В, что обеспечивает отличную производительность в широком диапазоне применений. С мощностью 43 Вт этот компонент может управляться в широком диапазоне температур, гарантируя надежность и долговечность в эксплуатации. Используя IRFR220NTRPBF в вашем дизайне, вы получаете гарантию качества от Infineon и уверенность в стабильности работы вашего устройства. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 24 Напряжение сток-исток, В 200 Мощность, Вт 43 Корпус DPAK
Технические параметры
| Вес, г | 0.65 |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Mounting Type | SMD |
| Особенности | - |
| Температура, С | -55…+175 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Крутизна характеристики, S | 2.6 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2.6 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 600 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.5 Ом/0.5А, 10В |