Моя заявка (0)

HEXFET N-Channel MOSFET, 5 A, 200 V, 3-Pin DPAK IRFR220NTRLPBF

HEXFET N-Channel MOSFET, 5 A, 200 V, 3-Pin DPAK IRFR220NTRLPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014556208
Артикул
IRFR220NTRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
1
Pin Count
3
Вес, г
0.4
Длина
6.5 mm
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одноканальный МОП-транзистор Infineon 200V HEXFET в корпусе D-Pak. Плоская структура ячейки для широкого спектра SOA

Технические параметры

Series1
Pin Count3
Вес, г0.4
Длина6.5 mm
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада12 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage200 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Qg - заряд затвора15 nC
Maximum Drain Source Resistance600 mO
Время нарастания11 ns
Maximum Continuous Drain Current5 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности43 W
Id - непрерывный ток утечки5 A
Крутизна характеристики, S2.6
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток600 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения20 ns
Типичное время задержки при включении6.4 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.8 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.2.6 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт43
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация