Моя заявка (0)

IRFR1N60ATRPBF, Транзистор силовой полевой

IRFR1N60ATRPBF, Транзистор силовой полевой

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070190676
Артикул
IRFR1N60ATRPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 225 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г0.73
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)25
Standard Package NameTO-252
Power Dissipation (Pd)36W
Typical Fall Time (ns)20
Typical Rise Time (ns)14
Total Gate Charge (Qg@Vgs)14nC@10V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)229pF@25V
Continuous Drain Current (Id)1.4A
Maximum Power Dissipation (mW)36000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)14(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)14(Max)10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)9.8
Maximum Drain Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)18
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)1.4
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)229 25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)7000 10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100

Техническая документация