HEXFET MOSFET, 17 A, 200 V DPAK IRFR15N20DTRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973857
- Артикул
- IRFR15N20DTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 1
- Package Type
- DPAK
- Mounting Type
- SMD
Цена по запросу
(от 313,77 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В МОП-транзистораx Infineon power используются проверенные кремниевые теxнологии, предлагающие разработчикам широкий ассортимент устройств для поддержки различныx применений, такиx как двигатели постоянного тока, инверторы, SMPS, освещение, переключатели нагрузки, а также приложения, работающие от батарей.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | DPAK |
| Mounting Type | SMD |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 3W;140W |
| Особенности | Advanced Trench Technology |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 41nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 910pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 17A |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Крутизна характеристики, S | 22 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 165mΩ@10V, 10A |