IRFR120Z Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059348026
- Артикул
- IRFR120Z
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Type
- Automotive Mosfet
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 6.22 mm
Цена по запросу
(от 48 ₽)
Минимальный заказ: 87 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 100 В, 8,7 А, TO-252AA, Полярность транзистора: N-канальный, Постоянный ток стока Id:8,7 А, Напряжение источника стока Vds: 100 В, Сопротивление Rds(включено): 0,15 Ом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs:10 В, Пороговое напряжение Vgs:4 В, питание, соответствует RoHS: Да
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | Automotive Mosfet |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 6.22 mm |
| Height | 2.3 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Fall Time | 23 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 26 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.4 |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Infineon |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 6.9 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 6000 |
| Pd - Power Dissipation | 35 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 8.7 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 16 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 150 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Крутизна характеристики, S | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |