IRFR120PBF, MOSFETs N-Chan 100V 7.7 Amp
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025740189
- Артикул
- IRFR120PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.10.00.80
- Tab
- Tab
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Military
- No
Цена по запросу
(от 112,09 ₽)
Минимальный заказ: 75 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Chan 100V 7.7 Amp
Технические параметры
| HTS | 8541.10.00.80 |
| Tab | Tab |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 5 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | IRFR |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Высота | 2.38 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 6.22(Max) |
| Package Height | 2.39(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W;42W |
| Typical Fall Time (ns) | 17 |
| Typical Rise Time (ns) | 27 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 360pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 7.7A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 16(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 16(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.8 |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.7 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 18 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.7 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 360@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 270@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Крутизна характеристики, S | 4.2 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 270mΩ@4.6A, 10V |