IRFR120NTRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 9,4A 48Вт 0,21Ом TO252AA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024644365
- Артикул
- IRFR120NTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Width
- 6.22mm
- Series
- HEXFET
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 9,4A 48Вт 0,21Ом TO252AA
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Width | 6.22mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Automotive | No |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.4 |
| Время | задержки включения/выключения-4.5/32 нс |
| Длина | 6.5 mm |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Высота | 2.3 mm |
| Корпус | DPAK |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-48 Вт |
| Описание | 100V, 9.4A N-Channel MOSFET |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |
| Process Technology | HEXFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | N-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2 В |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 23 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 5.6A, 10V |
| Typical Fall Time (ns) | 23 |
| Typical Rise Time (ns) | 23 |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 48W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252AA(DPAK) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 48 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55…+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 48000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 16.7 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 25(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 25(Max)10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 210 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.5 |
| Время нарастания | 23 ns |
| Тип проводимости | N |
| кол-во в упаковке | 2000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.4 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 32 |
| Заряд затвора, нКл | 25 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9.4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 330 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 210 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 39 W |
| Другие названия товара № | SP001566944 |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.1 A |
| Крутизна характеристики, S | 2.7 |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2.7 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 210 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 9.4 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/2000 |
| Типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 210 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 210 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 21Ом |