Моя заявка (0)

IRFR1205TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 55В, 37А, 69Вт, DPAK

IRFR1205TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 55В, 37А, 69Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061894006
Артикул
IRFR1205TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Тип
MOSFET
Вес, г
0.39
Мощность
рассеиваемая(Pd)-107 Вт
Описание
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
Цена по запросу
(от 66 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44А 107Вт

Технические параметры

ТипMOSFET
Вес, г0.39
Мощностьрассеиваемая(Pd)-107 Вт
ОписаниеMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
УпаковкаREEL, 2000 шт.
Transistor PolarityN Channel
Емкость, пФ1300
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-1.8 В
Vgs - Gate-Source Voltage4V @ 250uA
Температура, С-55…+175
Способ монтажаповерхностный(SMT)
Тип проводимостиN
Rds On - Drain-Source Resistance27mО© @ 26A,10V
Заряд затвора, нКл65
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)107W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage55V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C44A
Диапазон рабочих температур-55…+175 °С
Крутизна характеристики S,А/В17
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А44
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±20 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во58*46*50/2000
Максимальное напряжение сток-исток, В55
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм27
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм27
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В4

Техническая документация