Моя заявка (0)
IRFR110TRPBF, MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006279079
Артикул
IRFR110TRPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
EU RoHS
Compliant with Exemption
Military
No
Цена по запросу
(от 136,68 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
EU RoHSCompliant with Exemption
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г6
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Dual Drain
Package Width6.22(Max)
Package Height2.39(Max)
Package Length6.73(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)25
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
Typical Fall Time (ns)9.4
Typical Rise Time (ns)16
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2500
Typical Gate Charge @ 10V (nC)8.3(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)8.3(Max)@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)6.9
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)15
Maximum Diode Forward Voltage (V)2.5
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)4.3
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)180@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)540@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)20
Крутизна характеристики, S0.25
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация