Моя заявка (0)

IRFR1018ETRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

IRFR1018ETRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002238756
Артикул
IRFR1018ETRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
46 nC
V(DS)
60 V
P(tot)
110 W
Package
DPAK
Цена по запросу
(от 212 ₽)
Минимальный заказ: 72 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В 56A 110Вт 0,0084Ом

Технические параметры

Q(g)46 nC
V(DS)60 V
P(tot)110 W
PackageDPAK
R(thJC)1.32 K/W
MountingSMD
PackagingREEL
AutomotiveNO
TechnologyHEXFET
Вес, г1
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN
Package TypeD-Pak(TO-252AA)
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V8.4 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C79 A
СтруктураN-Channel
Особенностимощный высокочастотный
Температура, С-55…+175
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Continuous Drain Current79 A
Крутизна характеристики, S110
Крутизна характеристики S,А/В110
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А79
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм8.4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В4

Техническая документация