IRFR Type N-Channel MOSFET, 7.7 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR014TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024693712
- Артикул
- IRFR014TRPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Width
- 6.22mm
Цена по запросу
(от 223,13 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Chan 60V 7.7 Amp
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Width | 6.22mm |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | IRFR/U |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Высота | 2.38 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 6.22(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W;25W |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Rise Time (ns) | 50 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 300pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 7.7A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11(Max)@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 160 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.7 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 5.8(Max) |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.1(Max) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.7 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 300@25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 200 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 200@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.7 A |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |