Моя заявка (0)

IRFPF50PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 4,2А, 190Вт, TO247AC

IRFPF50PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 4,2А, 190Вт, TO247AC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070165114
Артикул
IRFPF50PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
4.6
Серия
IRFPF
Упаковка
Tube
Transistor Polarity
N Channel; Continuous Drain Current Id
Цена по запросу
(от 726,83 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Chan 900V 6.7 Amp

Технические параметры

Вес, г4.6
СерияIRFPF
УпаковкаTube
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада37 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-247AC-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора200 nC
Время нарастания34 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности190 W
Id - непрерывный ток утечки6.7 A
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток900 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения130 ns
Типичное время задержки при включении20 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.4.9 S

Техническая документация