MOSFET IRFPC40PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014509509
- Артикул
- IRFPC40PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
Цена по запросу
(от 603 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 4,3А, 150Вт, TO247AC Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Серия | IRFPC |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 5.31(Max) |
| Package Height | 20.82(Max) |
| Package Length | 15.87(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-247AC |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Rise Time (ns) | 18 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 60(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 60(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1200@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.8 A |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |