IRFP7537PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002238676
- Артикул
- IRFP7537PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 5.31mm
- Series
- StrongIRFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFP7537PBF от производителя INFINEON обладает высокой мощностью в 230 Вт и предназначен для монтажа THT. Этот N-MOSFET транзистор с корпусом TO247AC способен выдерживать ток стока до 172 А и напряжение сток-исток 60 В, обеспечивая при этом низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0033 Ом. Идеально подходит для сильноточных и высоковольтных применений. Используя IRFP7537PBF, вы получаете надежный компонент для эффективного управления мощностью в различных электронных схемах. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 172 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 230 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0033 Корпус TO247AC
Технические параметры
| Width | 5.31mm |
| Series | StrongIRFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 15.87 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Высота | 20.7 mm |
| Корпус | TO-247AC |
| Ширина | 5.31 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 84 ns |
| Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 142 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Qg - заряд затвора | 142 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.3 mΩ |
| Время нарастания | 105 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 172 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 230 W |
| Другие названия товара № | SP001564970 |
| Id - непрерывный ток утечки | 172 A |
| Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| Крутизна характеристики, S | 190 |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.75 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 84 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 172 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 190 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |