Моя заявка (0)

IRFP7530PBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

IRFP7530PBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002239251
Артикул
IRFP7530PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
5.31mm
Series
StrongIRFET
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 429 ₽)
Минимальный заказ: 32 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Семейство транзисторов StrongIRFET от Infineon оптимизировано для работы при низком RDS (вкл.) и высоком токе. Эта линейка устройств обладает улучшенной вентильной, лавинной и динамической надежностью dv/ dt, что идеально подxодит для промышленныx низкочастотныx применений, включая электроприводы, электроинструменты, инверторы и системы управления аккумуляторами, где производительность и надежность имеют важное значение.

Технические параметры

Width5.31mm
SeriesStrongIRFET
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
КорпусTO-247AC
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Особенностинизковольтные mosfets для сильноточных применений
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation341 W
Typical Gate Charge @ Vgs274 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage2.1V
Maximum Drain Source Resistance2 mΩ
Maximum Continuous Drain Current195 A
Крутизна характеристики, S242
Пороговое напряжение на затворе4
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А281
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт341
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация