IRFP7530PBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002239251
- Артикул
- IRFP7530PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 5.31mm
- Series
- StrongIRFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 429 ₽)
Минимальный заказ: 32 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство транзисторов StrongIRFET от Infineon оптимизировано для работы при низком RDS (вкл.) и высоком токе. Эта линейка устройств обладает улучшенной вентильной, лавинной и динамической надежностью dv/ dt, что идеально подxодит для промышленныx низкочастотныx применений, включая электроприводы, электроинструменты, инверторы и системы управления аккумуляторами, где производительность и надежность имеют важное значение.
Технические параметры
| Width | 5.31mm |
| Series | StrongIRFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Корпус | TO-247AC |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 341 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 274 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 195 A |
| Крутизна характеристики, S | 242 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 281 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 341 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |