Транзистор полевой IRFP4768PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061150240
- Артикул
- IRFP4768PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon/IR
- Width
- 5.31 mm
- Height
- 20.7 mm
Цена по запросу
(от 674 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 93А, 520Вт, TO247AC
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon/IR |
| Width | 5.31 mm |
| Height | 20.7 mm |
| Length | 15.87 mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Fall Time | 110 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 160 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Unit Weight | 1.340411 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TO-247AC |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part # Aliases | SP001571028 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 180 nC |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-520 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg |
| Упаковка | TUBE, 25 шт. |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Емкость, пФ | 10880 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В |
| Factory Pack Quantity | 25 |
| Pd - Power Dissipation | 520 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 520 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 36 ns |
| Температура, С | -55…+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 57 ns |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Id - Continuous Drain Current | 93 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 100 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 14.5 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 93 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 17.5 mOhms |
| Заряд затвора, нКл | 270 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 100 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 93 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/500 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 17.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 17.5 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 5 |