Моя заявка (0)

IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]

IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070111905
Артикул
IRFP4668PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
5.31mm
Series
HEXFET
Тип
MOSFET
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 640,50 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon предлагает широкий ассортимент надежныx N-канальныx и P-канальныx МОП-транзисторныx устройств для управления двигателями.

Технические параметры

Width5.31mm
SeriesHEXFET
ТипMOSFET
Pin Count3
Вес, г5.59
Времязадержки включения/выключения-105/74 нс
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247AC
Mounting TypeThrough Hole
Мощностьрассеиваемая(Pd)-520 Вт
ОписаниеMOSFET MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
УпаковкаTUBE, 25 шт.
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Ток утечкинепрерывный(Id)-130 А
Емкость, пФ10720
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-1.8 В
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation520 W
Typical Gate Charge @ Vgs161 nC @ 10 V
Температура, С-55…+175
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаThrough Hole
Maximum Drain Source Voltage200 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage5V
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance10 mΩ
Тип проводимостиN
Maximum Continuous Drain Current130 A
Заряд затвора, нКл241
Диапазон рабочих температур-55…+175 °С
Крутизна характеристики S,А/В150
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А130
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±30 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во60*50*50/1000
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм9.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм9.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В5

Техническая документация