Транзистор полевой IRFP460LCPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059752405
- Артикул
- IRFP460LCPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Тип
- MOSFET
Цена по запросу
(от 440 ₽)
Минимальный заказ: 21 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-КАНАЛЬНЫЙ MOSFET, 500 В, 20 А, TO-247, Полярность транзистора:N-канальный, Постоянный ток стока Id:20 А, Напряжение источника стока Vds: 500 В, Сопротивление Rds(включено): 270 Мом, Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs:10 В, Пороговое напряжение Vgs:4 В, MSL:- , Соответствует требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Время | задержки включения/выключения-77/43 нс |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 5.31(Max) |
| Package Length | 15.87(Max) |
| EDA / CAD Models | IRFP460LCPBF by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-247AC |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-280 Вт |
| Описание | MOSFET 500V N-CH HEXFET |
| Упаковка | TUBE, 25 шт. |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Емкость, пФ | 3600 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2 В |
| Standard Package Name | TO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 43 |
| Typical Rise Time (ns) | 77 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 280000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 120(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 120(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 440 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 18 |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 6.2 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.8 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 49(Max) |
| Заряд затвора, нКл | 120 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 32(Max) |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 570 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3600@25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 6600 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 270@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 80 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 39@25V |
| Крутизна характеристики, S | 12 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 20 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 280 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 270 |