IRFP460APBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 13А, 280Вт, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017528182
- Артикул
- IRFP460APBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay/Siliconix
- Series
- IRFP
- Fall Time
- 39 ns
- Packaging
- Tube
Цена по запросу
(от 298,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET
Технические параметры
| Brand | Vishay/Siliconix |
| Series | IRFP |
| Fall Time | 39 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 55 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 4.92 |
| Длина | 15.87 mm |
| Серия | IRFP |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Vishay |
| Product Type | MOSFET |
| Высота | 20.82 mm |
| Корпус | TO-247AC |
| Ширина | 5.31 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 105 nC |
| Упаковка | Tube |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 39 ns |
| Pd - Power Dissipation | 280 W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 11 S |
| Qg - заряд затвора | 105 nC |
| Время нарастания | 55 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 270 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 280 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 460 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 280 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |