Транзистор полевой IRFP4468PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061150235
- Артикул
- IRFP4468PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 360 nC
- V(DS)
- 100 V
- Width
- 5.31mm
- Series
- HEXFET
Цена по запросу
(от 522 ₽)
Минимальный заказ: 90 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 360 nC |
| V(DS) | 100 V |
| Width | 5.31mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Package | TO-247 |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 15.87мм |
| Серия | HEXFET |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247AC |
| Высота | 20.7мм |
| Ширина | 5.31мм |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 2.6 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Размеры | 15.87 x 5.31 x 20.7мм |
| I(D)at Tc=25°C | 290 A |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-520 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg |
| Упаковка | TUBE, 25 шт. |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Тип канала | N |
| Емкость, пФ | 19860 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В |
| Тип корпуса | TO-247AC |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 520 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| Производитель | Infineon |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 290 A |
| Заряд затвора, нКл | 540 |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 360 нКл при 10 В |
| Типичная входная емкость при Vds | 19860 пФ при 50 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 520 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 290 |
| Типичное время задержки включения | 52 ns |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 V |
| Максимальный непрерывный ток стока | 290 A |
| Типичное время задержки выключения | 160 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 47*45*32/1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 3 мОм |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 2.6 |