IRFP4229PBF, транзистор полевой TO-247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059525978
- Артикул
- IRFP4229PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Military
- No
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает широкий ассортимент надежныx N-канальныx и P-канальныx МОП-транзисторныx устройств для управления двигателями.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 15.9мм |
| Серия | HEXFET |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 20.3мм |
| Ширина | 5.3мм |
| Configuration | Single |
| Package Width | 5.31(Max)mm |
| Package Length | 15.87(Max)mm |
| Размеры | 15.9 x 5.3 x 20.3мм |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-247AC |
| Process Technology | HEXFET |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Тип канала | N |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Тип корпуса | TO-247AC |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Rise Time (ns) | 27 |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | Infineon |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -40~175 |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 310000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 72 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 72@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 250 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 310000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 72 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 72@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 250 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 44 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4560@25V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 44 |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 46@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 4560@25V |
| Материал транзистора | Кремний |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 46@10V |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Типичная входная емкость при Vds | 4560 пФ при 25 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 310 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальное напряжение сток-исток | 250 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 44 А |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 46 мΩ |