Моя заявка (0)

IRFP3703PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 210А, 230Вт, TO247AC

IRFP3703PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 210А, 230Вт, TO247AC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070095433
Артикул
IRFP3703PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
5.3mm
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
5.57
Цена по запросу
(от 500 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства для поверxностного монтажа и свинцовые корпуса.

Технические параметры

Width5.3mm
SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г5.57
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247AC
Mounting TypeThrough Hole
Transistor MaterialSi
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation3.8 W
Typical Gate Charge @ Vgs209 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance2.8 Ω
Maximum Continuous Drain Current210 A

Техническая документация